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感應耦合電漿化學氣相沉積設備

簡要描述：感應耦合電漿化學氣相沉積設備是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優(yōu)點。

  • 產品型號：
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-07-10
  • 訪  問  量：912

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域環(huán)保,化工,電子/電池

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ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備（ICP-CVD）是一種使用ICP的化學氣相沉積技術，可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源，有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優(yōu)點。

SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

應用領域腔體

  • 奈米碳管與石墨烯製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄

    膜製程。

  • 二維材料。

  • 醫(yī)療和商業(yè)產品的耐磨薄膜。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或

    加熱包來控制腔體溫度。


配置和優(yōu)點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達

    12寸晶圓。

  • 腔體壓力：50~10-3 Torr。

  • 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴充10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至700°C。

  • 使用Tornado ICP線圈，ICP電漿範

    圍為50W ~2000W，滿足客戶ICP-CVD製程需求。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手

    套箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 發(fā)射光譜儀。

  • 高真空傳送系統。




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